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电子元器件详细资料 » IC[27540] » SI3460DDV-T1-GE3
型号:SI3460DDV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C28 毫欧 @ 5.1A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 8V
输入电容(Ciss)0a0Vds666pF @ 10V
功率_最大2.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
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SI3460DDV-T1-GE3相关型号

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